2Т331В-1
26 ₴
Показати оптові ціни- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: 1332
Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.- Ціна: 26 ₴