2Т317В-1

2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.