Сверхвысокочастотный діод 3А112А змішувальний, арсенидо-галлиевый планарно-эпитаксиальный з бар'єром Шотткі. Призначений для роботи в гібридних інтегральних схемах, микромодулях, вузлах і блоках 3-х сантиметрового діапазону довжин хвиль. Випускається в металлостеклянном корпусі з гнучкими висновками. Втрати перетворення не більше 6 дБ (при темп.25±10 °С), вихідний опір від 300 до 550 Ом, випрямлений струм від 1,0 до 2,5 мА
Інформація для замовлення
- Ціна: 39 ₴
