2Т630Б транзистор, Ni

2Т630Б, покрытие  Ni
Транзисторы 2Т630Б кремниевые планарные структуры n-p-n .
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.
Транзисторы 2Т630А, 2Т630Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,005 г.
Тип корпуса: KT-2.
Технические условия: ЮФ3.365.043 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т630Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2000 мА;
• Ікбо - Зворотний струм колектора - струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера: не більше 1 мкА (90О);
• һ21э - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схеми з спільним емітером: 80... 240;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більше 15 пФ;
• Rкэ нас - Опір насичення між колектором і емітером: не більше 2 Ом