2Т378А1-2

Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.