2Т378А1-2

Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.Транзистори 2Т378А1-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n імпульсні.
Призначені для застосування в імпульсних каскадах герметизованих мікросхем.
Безкорпусні на кристаллодержателях з гнучкими висновками.