2Т378А1-2
26 ₴
Показать оптовые цены- В наличии
- Оптом и в розницу
- Код: 1333
2Т378А1-2В наличии
26 ₴
+380 (67) 445-54-25
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.
Информация для заказа
- Цена: 26 ₴