2Т331В-1
26 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Оптом и в розницу
- Код: 1332
Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.- Цена: 26 ₴