2А508А-1 диод

Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.