2А508А-1 діод

Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Робочим елементом діода є напівпровідникова структура типу n-i-p-in.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового та дециметрового діапазонів довжин хвиль у складі гібридних інтегральних мікросхем, що забезпечують герметизацію і захист приладів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, зниженого і підвищеного тиску.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р. Діоди 2А508А-1 кремнієві, на основі іонної технології, перемикальні.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Масса диода не более 0,05 г.Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Випускаються в безкорпусному виконанні з гнучкими виводами без кристаллодержателя.
Тип діода наводиться на полиэтиленцеллофановой стрічці.
Маса діода не більше 0,05 р.