2Т630А транзистор, Ni

Транзистори 2Т630А кремнієві планарні структури npn універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах та імпульсних пристроях, схемах управління газорозрядною панеллю змінного струму, силових каскадах ключових стабілізаторів і перетворювачів.
Транзистори 2Т630А, 2Т630Б випускаються у металостеклянному корпусі з гнучкими висновками.
Тип корпусу КТ-2-7 (TO-39).
Маркування нанесене цифро-літерним кодом на корпусі транзистора.
Транзистори 2Т630А-5, 2Т630Б-5 випускається як нерозділених кристалів на пластині з контактними майданчиками для гібридних інтегральних мікросхем.
Тип приладу вказується на етикетці.
Маса транзистора в металлостеклянном корпусі трохи більше 2,0 м, кристала трохи більше 0,005 г.

Зарубіжний аналог: BCW50.


Основні технічні характеристики транзистора 2Т630:
• Структура транзистора: npn;
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,8 Вт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 50 МГц;
• Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 120 В;
• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 1000 мА;
• Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 2000 мА;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА (90В);
• h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 40...120;
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ;